IRF7319
Dual-Element FET with 0.029ohm Resistance
品質保證
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認證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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IRF7319 數據表
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詳細說明
The IRF7319 is a P-channel MOSFET transistor designed for high-speed switching applications in power management circuits. It features a drain-source voltage (VDS) of -30 volts, a continuous drain current (ID) of -7.2 amperes, and a low gate-source voltage (VGS) of +/- 25 volts. The on-state resistance (RDS(on)) is 36 milliohms at a VGS of -10 volts, making it suitable for high-efficiency power switching applications.This MOSFET transistor is housed in a compact SO-8 package, making it easy to integrate into various circuit designs. It has a low input capacitance and gate charge, allowing for fast switching times and reducing power losses. The IRF7319 also has a high pulse current capability, making it suitable for applications that require transient overcurrent protection.
主要特徵
- Dual N and P channel MOSFET
- High VDS rating of 30 V
- Low on-state resistance
- Fast switching speed
- Low gate charge
- Small package size
- Designed for high efficiency power management applications
- RoHS compliant
應用
- Power management in portable devices
- Motor control applications
- DC-DC converters
- Battery charging circuits
- Switching applications in power supplies
- Audio amplifiers
- LED lighting systems
- Industrial control systems
- Telecommunications equipment
- Automotive electronics
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
RthJA max | 62.5 K/W | Tj max | 150.0 °C |
VDS max | -30.0 V | VGS max | 20.0 V |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Ptot max | 2.0 W |
Package | SO-8 | Polarity | N+P |
RDS (on) max | 98.0 mΩ | VGS(th) min | 1.0 V |
ID max | -4.9 A |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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