BLF4G20LS-110B

TNS package technology
8,624 有效庫存

BLF4G20LS-110B

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TNS package technology

  • 製造商零件號 # : BLF4G20LS-110B

  • 包裝/封裝: SOT-502B

  • 零件狀態 : OBSOLETE

  • 製造商: NXP USA Inc.

  • 產品分類 : RF FETs, MOSFETs

  • RoHS:

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

RF Mosfet 28 V 650 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.4dB 100W SOT502B

主要特徵

  • Typical GSM EDGE performance at a frequency of 1930 MHz and 1990 MHz, a
  • supply voltage of 28 V and an IDq of 650 mA:
  • Load power = 48 W (AV)
  • Gain = 13.8 dB (typ)
  • Efficiency = 38.5 % (typ)
  • ACPR400 = −61 dBc (typ)
  • ACPR600 = −74 dBc (typ)
  • EVMrms = 2.1 % (typ)
  • Easy power control
  • Excellent ruggedness
  • High efficiency
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)
  • Internally matched for ease of use

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Package Tray Product Status Obsolete
Technology LDMOS Frequency 1.93GHz ~ 1.99GHz
Gain 13.4dB Voltage - Test 28 V
Current Rating (Amps) 12A Current - Test 650 mA
Power - Output 100W Voltage - Rated 65 V
Mounting Type Chassis Mount Package / Case SOT-502B
Supplier Device Package SOT502B Base Product Number BLF4

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