BLP10H605
104V N-Channel RF MOSFET in 12-Pin High Voltage SON Exposed Pad (EP) PackageBLP10H605
104V N-Channel RF MOSFET in 12-Pin High Voltage SON Exposed Pad (EP) Package
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製造商零件號 # : BLP10H605
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包裝/封裝: HVSON EP
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零件狀態 : OBSOLETE
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製造商: Ampleon
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
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RoHS:
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例子
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BLP10H605 數據表
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詳細說明
BLP10H605 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Infineon Technologies. It is designed for use in power supply and control applications where high collector current and low saturation voltage are required. The transistor has a maximum collector current of 10A, a collector-emitter voltage of 60V, and a power dissipation of 30W.The BLP10H605 has a low saturation voltage of 0.15V at a collector current of 4A, making it suitable for efficient power control applications. It also has a high current gain of 40 at a collector current of 4A, ensuring stable and reliable operation in various circuit designs.The transistor features a TO-220 package, which provides adequate thermal dissipation for high-power applications. It operates in a wide temperature range of -55°C to 150°C, making it suitable for use in harsh environmental conditions.
主要特徵
- BLP10H605 features a slim and compact design
- It is equipped with a powerful 10-speed motor
- Has a large 60oz glass pitcher for blending large batches
- Includes 6 stainless steel blades for efficient blending
- Features a pulse function for precise blending control
- Comes with a 2-year warranty for added peace of mind
應用
- Industrial automation
- Power management systems
- Motor control applications
- Renewable energy systems
- Electric vehicle charging systems
- Smart grid technology
- Robotics and motion control
- Appliance control systems
- Home automation solutions
- Lighting control systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
ECCN (US) | EAR99 | Part Status ! | Obsolete |
Configuration | Dual Common Source | Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N | Number of Elements per Chip | 2 |
Mode of Operation ! | CW | Process Technology | LDMOS |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 104 | Maximum Gate Source Voltage (V) | 11 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.8(Typ) | Maximum VSWR | 35 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 60 | Maximum IDSS (uA) | 0.6 |
Output Power (W) | 5 | Typical Power Gain (dB) | 22.4 |
Maximum Frequency (MHz) | 1400 | Minimum Frequency (MHz) | 10 |
Typical Drain Efficiency (%) | 59.6(Max) | Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.82 | Package Width | 5 |
Package Length | 6 | PCB changed | 12 |
Standard Package Name | SON | Supplier Package | HVSON EP |
Pin Count ! | 12 |
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