ATF-54143-BLKG
Single Voltage GaAs RF JFET Transistors
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製造商零件號 # : ATF-54143-BLKG
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包裝/封裝: SOT-343
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製造商: Broadcom Limited
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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捲帶式
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ATF-54143-BLKG 數據表
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詳細說明
Avago Technologies’ ATF-54143 is a high dynamic range, low noise, E-PHEMT housed in a 4-lead SC-70 (SOT-343) surface mount plastic package.The combination of high gain, high linearity and low noise makes the ATF-54143 ideal for cellular/PCS base stations, MMDS, and other systems in the 450 MHz to 6 GHz frequency range.Features • High linearity performance • Enhancement Mode Technology [1] • Low noise figure • Excellent uniformity in product specifications • 800 micron gate width • Low cost surface mount small plastic package SOT- 343 (4 lead SC-70) • Tape-and-Reel packaging option available • Lead-free option available.Specifi cations • 2 GHz; 3V, 60 mA (Typ.) • 36.2 dBm output 3rd order intercept • 20.4 dBm output power at 1 dB gain compression • 0.5 dB noise figure • 16.6 dB associated gainApplications • Low noise amplifier for cellular/PCS base stations • LNA for WLAN, WLL/RLL and MMDS applications • General purpose discrete E -PHEMT for other ultra low noise applications
主要特徵
- High linearity performance
- Enhancement Mode Technology [1]
- Low noise figure
- Excellent uniformity in product specifications
- 800 micron gate width
- Low cost surface mount small plastic package SOT- 343 (4 lead SC-70)
- Tape-and-Reel packaging option available
- Lead-free option available.
- Specifi cations
- 2 GHz; 3V, 60 mA (Typ.)
- 36.2 dBm output 3rd order intercept
- 20.4 dBm output power at 1 dB gain compression
- 0.5 dB noise figure
- 16.6 dB associated gain
![Broadcom Limited Inventory Broadcom Limited Inventory](/files/uploads/inventory/broadcom/broadcom1.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | RF JFET Transistors | RoHS | Details |
Transistor Type | EpHEMT | Technology | GaAs |
Operating Frequency ! | 2 GHz | Gain | 16.6 dB |
Transistor Polarity | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 5 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 5 V to 1 V | Id - Continuous Drain Current | 120 mA |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 725 mW |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-343 |
Brand | Broadcom / Avago | Configuration | Single Dual Source |
Forward Transconductance - Min | 410 mmho | NF - Noise Figure | 0.5 dB |
P1dB - Compression Point | 20.4 dBm | Product | RF JFET Transistors |
Product Type ! | RF JFET Transistors | Factory Pack Quantity | 100 |
Subcategory | Transistors | Type | GaAs EpHEMT |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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