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ATF-38143-TR1G
Low Noise GaAs RF JFET Transistor ATF-38143-TR1G"
ATF-38143-TR1G
Low Noise GaAs RF JFET Transistor ATF-38143-TR1G"
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製造商零件號 # : ATF-38143-TR1G
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包裝/封裝: SOT-343
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製造商: Broadcom Limited
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
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ATF-38143-TR1G 數據表
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詳細說明
Avago Technologies’s ATF-38143 is a high dynamic range, low noise, PHEMT housed in a 4-lead SC-70 (SOT-343) surface mount plastic package.Based on its featured performance, ATF-38143 is suitable for applications in cellular and PCS handsets, LEO systems, MMDS, and other systems requiring super low noise figure with good intercept in the 450 MHz to 10 GHz frequency range.Features • Lead-free Option Available • Low Noise Figure • Excellent Uniformity in Product Specifications • Low Cost Surface Mount Small Plastic Package SOT-343 (4 lead SC-70) • Tape-and-Reel Packaging Option AvailableSpecifi cations1.9 GHz; 2 V, 10 mA (Typ.) • 0.4 dB Noise Figure • 16 dB Associated Gain • 12.0 dBm Output Power at 1 dB Gain Compression • 22.0 dBm Output 3rd Order InterceptApplications • Low Noise Amplifier for Cellular/PCS Handsets • LNA for WLAN, WLL/RLL, LEO, and MMDS Applications • General Purpose Discrete PHEMT for Other Ultra Low Noise Applications
主要特徵
- Lead-free Option Available
- Low Noise Figure
- Excellent Uniformity in Product Specifications
- Low Cost Surface Mount Small Plastic Package SOT-343 (4 lead SC-70)
- Tape-and-Reel Packaging Option Available
- Specifi cations
- 1.9 GHz; 2 V, 10 mA (Typ.)
- 0.4 dB Noise Figure
- 16 dB Associated Gain
- 12.0 dBm Output Power at 1 dB Gain Compression
- 22.0 dBm Output 3rd Order Intercept
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Category ! | RF JFET Transistors | RoHS | Details |
| Transistor Type | pHEMT | Technology | GaAs |
| Operating Frequency ! | 2 GHz | Gain | 16 dB |
| Transistor Polarity | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 4 V | Id - Continuous Drain Current | 145 mA |
| Maximum Operating Temperature ! | + 160 C | Pd - Power Dissipation | 580 mW |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-343 |
| Brand | Broadcom / Avago | Configuration | Single Dual Source |
| Forward Transconductance - Min | 230 mmho | NF - Noise Figure | 0.4 dB |
| P1dB - Compression Point | 12 dBm | Product | RF JFET |
| Product Type ! | RF JFET Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | Transistors | Type | GaAs pHEMT |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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