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2SA1062
2SA1062 is a high voltage PNP silicon transistor used for audio amplification.
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2SA1062 is a high voltage PNP silicon transistor used for audio amplification.
品質保證
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運輸與付款
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例子
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2SA1062 數據表
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詳細說明
The 2SA1062 is a silicon PNP epitaxial transistor primarily used for audio amplifier applications. This transistor has a maximum collector current of 1A, a maximum collector-base voltage of -120V, and a maximum emitter-base voltage of -5V. It has a power dissipation of 0.75W, a transition frequency of 100MHz, and a DC current gain (hfe) ranging from 100 to 800.The 2SA1062 is housed in a TO-126 package with three pins for easy mounting on a printed circuit board. It operates in a wide temperature range from -55°C to 150°C, making it suitable for various industrial and commercial applications.This transistor offers high current gain, low noise, and excellent power dissipation capabilities, making it a popular choice for audio amplifier circuits, voltage regulation, and low-frequency power applications. It is commonly used in audio amplifiers, power supplies, voltage regulators, and other low-power switching applications.
主要特徵
- Low frequency power amplifier
- High voltage and low saturation voltage
- Complementary to 2SC2482
- Max collector current of 4A
- Max power dissipation of 25W
- Can be used in audio amplifier circuits
應用
- Audio amplifiers
- Power supply regulators
- Switching circuits
- Motor control circuits
- Signal processing circuits
- High-frequency oscillators
- Microwave applications
- Radio frequency amplifiers
- Communication circuits
- Automotive electronics
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Part Life Cycle Code | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | Case Connection | COLLECTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 7 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 120 V |
| Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 20 |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | PNP |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 80 W | Surface Mount ! | NO |
| Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | AMPLIFIER | Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 20 MHz | VCEsat-Max | 2 V |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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