1MBH60-090

N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a maximum collector current of 60A and a collector-emitter breakdown voltage of 900V
3,910 有效庫存

1MBH60-090

有效庫存3,910

N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a maximum collector current of 60A and a collector-emitter breakdown voltage of 900V

  • 製造商零件號 # : 1MBH60-090

  • 包裝/封裝: TO-3PL

  • 製造商: FUJITSU

  • 產品分類 : Single IGBTs

品質保證

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

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詳細說明

The 1MBH60-090 is a silicon carbide Schottky diode module by ROHM Semiconductor. It features a forward current rating of 60A and a reverse voltage rating of 900V, making it suitable for high power and high voltage applications. This module utilizes silicon carbide (SiC) technology, which offers superior switching performance and efficiency compared to traditional silicon diodes. The SiC material allows for lower forward voltage drop and faster switching speeds, reducing power loss and improving overall system efficiency.The 1MBH60-090 module is designed for use in applications such as power supplies, motor drives, renewable energy systems, and electric vehicles. Its compact and robust construction makes it easy to integrate into existing systems and ensures reliable operation in demanding environments.In addition to its high current and voltage ratings, the 1MBH60-090 module also offers low leakage current, high thermal conductivity, and high temperature operation capabilities. These features make it a versatile and reliable choice for high power applications that require long-term performance and reliability.

主要特徵

  • 1MBH60-090 is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
  • It has a voltage rating of 900V and a current rating of 60A
  • High thermal conductivity for efficient heat dissipation
  • Low saturation voltage for improved performance
  • Fast switching speed for high frequency applications
  • Compact size and lightweight design

應用

  • AC motor control
  • Power supplies
  • Industrial inverters
  • Solar inverters
  • Welding equipment
  • UPS systems
  • Renewable energy systems
  • High-frequency switching applications
  • Motor drives
  • Power factor correction

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 Additional Feature ! HIGH SWITCHING SPEED, LOW SATURATION VOLTAGE
Collector Current-Max (IC) 60 A Collector-Emitter Voltage-Max 900 V
Configuration SINGLE Gate-Emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 260 W
Qualification Status ! Not Qualified Surface Mount ! NO
Terminal Form ! THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 3.2 V

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 1MBH60-090 PDF 下載

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