ZTX313
BJT Bipolar Transistors
品質保證
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運輸與付款
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例子
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ZTX313 數據表
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詳細說明
ZTX313 is a high-gain general-purpose NPN transistor manufactured by Diodes Incorporated. It is designed for use in a wide range of applications, including amplification, switching, and linear voltage regulation. The transistor has a maximum collector current rating of 500 mA and a maximum collector-emitter voltage rating of 60V, making it suitable for low to medium power applications.ZTX313 is housed in a TO-92 package, which is a popular and versatile package type that allows for easy mounting and soldering onto circuit boards. The transistor features a high current gain (hFE) of up to 150 at 100 mA, ensuring efficient amplification of signals. It also has a low base-emitter saturation voltage of 0.6V at 10 mA, making it suitable for switching applications where low power dissipation is desired.
主要特徵
- Low saturation voltage
- Low collector-emitter saturation voltage
- High current gain bandwidth product
- High frequency operational amplifiers
- Low noise C and X-band amplifiers
- High gain low frequency amplifiers
應用
- Low voltage switching applications
- Battery-powered circuits
- Portable devices
- Liquid crystal displays (LCDs)
- Temperature sensors
- Instrumentation amplifiers
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Collector Current-Max (IC) | 0.5 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 15 V |
Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 40 |
JESD-30 Code | R-PSIP-W3 | JESD-609 Code | e0 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | IN-LINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 235 | Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form ! | WIRE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 500 MHz |
Turn-off Time-Max (toff) | 18 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 12 ns |
VCEsat-Max | 0.24 V |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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