TMS417400ADJ

有效庫存3,594

TMS417400ADJ is a high-speed, low-power 4M-bit programmable ROM chip with a voltage range of 3V to 3.6V.

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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TMS417400ADJ 數據表

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詳細說明

The TMS417400ADJ is a high-speed dynamic random-access memory (DRAM) integrated circuit manufactured by Texas Instruments. It is organized as 4,194,304 x 1-bit with a total capacity of 4 megabits. The device operates with a single +5V power supply and is designed for use in high-performance memory applications.The TMS417400ADJ features a fast access time of 30 ns, making it suitable for high-speed data processing tasks. It also offers a low power consumption of only 1.5W in active mode and 150mW in standby mode, making it suitable for power-sensitive applications.This DRAM chip uses an asynchronous page mode for access, allowing for fast random read and write operations. It has a 256 refresh count with a refresh interval of 8ms to maintain data integrity.The TMS417400ADJ comes in a 20-pin ceramic DIP package, making it easy to integrate into existing circuit designs. It is also available in industrial and automotive temperature ranges, making it suitable for a wide range of applications.

主要特徵

  • Single power supply operation: 3.0 V to 3.6 V
  • Organized as 262,144 words by 16 bits or 131,072 words by 32 bits
  • Access time of 55 ns
  • Low standby current consumption: 60 μA
  • Automatic power-down mode to reduce power consumption
  • Page mode operation for fast access time

應用

  • Industrial automation
  • Telecommunications
  • Automotive industry
  • Medical devices
  • Consumer electronics

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 TMS417400ADJ PDF 下載

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