TH58NVG3S0HBAI4
High capacity memory storage solution
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製造商零件號 # : TH58NVG3S0HBAI4
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包裝/封裝: BGA
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Kioxia America, Inc.
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產品分類 : Memory
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RoHS:
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
TH58NVG3S0HBAI4 數據表
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詳細說明
The TH58NVG3S0HBAI4 NAND flash memory chip by Toshiba Memory Corporation is a game-changer in the world of electronic storage solutions. Featuring a state-of-the-art multi-level cell architecture and 3D NAND technology, this chip delivers high-speed data transfer rates and exceptional reliability for a wide range of electronic devices. Whether you're using it in a smartphone, tablet, SSD, or digital camera, this chip ensures efficient data processing and secure storage thanks to its advanced error correction and wear-leveling algorithms. With capacities ranging from gigabytes to terabytes, the TH58NVG3S0HBAI4 offers ample space for all your applications, whether you're a regular consumer or an enterprise user. Its compact design and low power consumption make it a perfect fit for portable devices where efficiency is key. Say goodbye to storage limitations with the TH58NVG3S0HBAI4 NAND flash memory chip
主要特徵
- Organization
- Memory cell allay 2112 u 64K u 8 u 2
- Register 2112 u 8
- Page size 2112bytes
- Block size (128K 4K) bytes
- Modes
- Read, Reset, Auto Page Program
- Auto Block Erase, Status Read
- Mode control
- Serial input㧛output
- Command control
- Powersupply VCC 2.7 V to 3.6 V
- Program/Erase Cycles 1E5 Cycles(With ECC)
- Access time
- Cell array to register 25 μs max
- Serial Read Cycle 50 ns min
- Operating current
- Read (50 ns cycle) 10 mA typ.
- Program (avg.) 10 mA typ.
- Erase (avg.) 10 mA typ.
- Standby 50 μA max
- Package
- TSOP I 48-P-1220-0.50(Weight : 0.53 g typ.)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | NAND Flash | RoHS | Details |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | FBGA-63 |
Series | TC58CV | Memory Size ! | 8 Gbit |
Interface Type | Parallel | Organization | 1 G x 8 |
Timing Type | Synchronous | Data Bus Width | 8 bit |
Supply Voltage - Min | 2.7 V | Supply Voltage - Max | 3.6 V |
Supply Current - Max | 30 mA | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 85 C | Active Read Current - Max | 30 mA |
Brand | Kioxia America | Memory Type ! | NAND |
Moisture Sensitive | Yes | Product | NAND Flash |
Product Type ! | NAND Flash | Speed | 25 ns |
Factory Pack Quantity | 210 | Subcategory | Memory & Data Storage |
Unit Weight | 0.005820 oz |
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