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SBSS84LT1G
This product, designated SBSS84LT1G, features a P-channel MOSFET design, rated for a maximum voltage of 50 volts and a current of 0
SBSS84LT1G
This product, designated SBSS84LT1G, features a P-channel MOSFET design, rated for a maximum voltage of 50 volts and a current of 0
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製造商零件號 # : SBSS84LT1G
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包裝/封裝: SOT23-3
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零件狀態 : OBSOLETE
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製造商: Onsemi
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
SBSS84LT1G 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 5 | $0.106 | $0.53 |
| 50 | $0.088 | $4.40 |
| 150 | $0.078 | $11.70 |
| 500 | $0.065 | $32.50 |
| 3000 | $0.060 | $180.00 |
| 6000 | $0.057 | $342.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The SBSS84LT1G is a P-Channel surface-mount transistor with a voltage rating of 50V and a current rating of 130mA. It belongs to the SOT-23-3 (also known as TO-236) package type, which is a small outline transistor package with three leads. The transistor is designed to handle up to 225mW of power dissipation at a temperature of 25°C. This electronic component is commonly used in low-power applications where space is limited, such as portable electronic devices, power management circuits, and voltage regulators. The P-Channel configuration allows for efficient control of current flow when a negative voltage is applied to the gate relative to the source. With its small form factor and low power dissipation, the SBSS84LT1G is suitable for use in compact and energy-efficient electronic devices. It offers high performance in a small package, making it a popular choice among designers looking to optimize space and power consumption in their designs.
主要特徵
- SBSS84LT1G is a Schottky Barrier Rectifier with a low forward voltage drop
- It has a low reverse leakage current and high junction temperature capability
- This device is designed for use in high-frequency switching power supplies, converters, and freewheeling diodes
- It has a forward current rating of 8A and a voltage rating of 40V
應用
- Portable electronics
- Automotive systems
- Industrial control systems
- Power management
- Communication equipment
- Medical devices
- LED lighting
- Solar panels
- Battery charging systems
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Status | Obsolete | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36 pF @ 5 V | Power Dissipation (Max) | 225mW (Ta) |
| Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Base Product Number | SBSS84 |
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