RUR040N02

MOSFET Nch 20V 4A Small Signal
5,248 有效庫存

RUR040N02

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MOSFET Nch 20V 4A Small Signal

  • 製造商零件號 # : RUR040N02

  • 包裝/封裝: SOT-23

  • 製造商: ROHM

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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詳細說明

RUR040N02 is a high performance, low on-resistance Power MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) designed for use in a wide range of applications including power supplies, motor control, and solar inverters. This N-channel MOSFET has a VDS (drain-source voltage) rating of 40V and a continuous drain current rating of 55A, making it suitable for medium to high power applications.The RUR040N02 features a low gate charge and fast switching speed, allowing for efficient power management and reduced switching losses. Its low on-resistance of 4mΩ ensures minimal power dissipation and high efficiency operation. The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing thermal stability and easy mounting.With a junction temperature rating of up to 175°C, the RUR040N02 is capable of handling high temperature environments without compromising performance. It also has a high avalanche energy rating, making it robust and reliable in rugged applications.

主要特徵

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Low threshold voltage
  • High avalanche ruggedness
  • Logic level gate drive
  • RoHS compliant
  • Suitable for low voltage applications
  • TO-252 package

應用

  • High-speed switching applications
  • DC-DC converters
  • Motor control systems
  • Power management systems
  • Voltage regulation circuits
  • UPS systems
  • Battery charging circuits
  • Power supply units
  • LED lighting systems
  • Solar power inverters

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Mfr Rohm Semiconductor
Series - Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)®
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 10 V FET Feature -
Power Dissipation (Max) 1W (Ta) Operating Temperature ! 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package TSMT3
Package / Case SC-96 Base Product Number RUR040

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 RUR040N02 PDF 下載

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