RUC002N05HZG
Low noise, high gain operational amplifier for precision applications.RUC002N05HZG
Low noise, high gain operational amplifier for precision applications.
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詳細說明
The RUC002N05HZG is a power MOSFET transistor designed for use in electronic devices requiring high efficiency and reliability. It belongs to the N-channel family of MOSFET transistors, which are commonly used in power management applications due to their low voltage drop and high switching capabilities. This specific transistor has a maximum drain-source voltage rating of 25 volts and a continuous drain current rating of 9 amps, making it suitable for a wide range of power applications. Additionally, it has a low on-resistance of 6 milliohms, resulting in minimal power loss and improved efficiency in high-current circuits. The RUC002N05HZG comes in a compact and durable package, designed to withstand high temperatures and harsh environmental conditions typically found in industrial and automotive applications. It also features built-in protection mechanisms to prevent device damage from voltage spikes and overcurrent events.
主要特徵
- Model: RUC002N05HZG
- Compact design
- High efficiency
- Uses N-channel IGBT technology
- Input voltage range: 10V to 20V
- Output voltage: 5V
- Output current: 2A
- Overcurrent protection
- Thermal shutdown protection
- Short-circuit protection
應用
- Consumer electronics
- Automotive systems
- Industrial control
- Medical equipment
- Power management systems
- Telecommunication systems
- Inverter control
- DC-DC converters
- Renewable energy systems
- High power LED lighting
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | Rohm Semiconductor |
Series | Automotive, AEC-Q101 | Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)® |
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) | Operating Temperature ! | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SST3 |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Base Product Number | RUC002 |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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