RU1C001UNTCL
Metal-oxide semiconductor FET designed for efficient signal amplification in low-power applicationsRU1C001UNTCL
Metal-oxide semiconductor FET designed for efficient signal amplification in low-power applications
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製造商零件號 # : RU1C001UNTCL
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包裝/封裝: SOT-323-3
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Rohm Semiconductor
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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捲帶式
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管或託盤
RU1C001UNTCL 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
20 | $0.017 | $0.34 |
200 | $0.014 | $2.80 |
600 | $0.013 | $7.80 |
3000 | $0.012 | $36.00 |
9000 | $0.012 | $108.00 |
21000 | $0.011 | $231.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
Whether used in amplifiers, voltage regulators, or other electronic devices, this transistor offers reliability and performance in a compact and efficient package. Upgrade your circuit designs with the RU1C001UNTCL for high-quality results
主要特徵
- Easy to Use and Install
- Efficient Energy Consumption
- Durable Construction and Longevity
應用
- Car navigation systems
- Surveillance cameras
- Digital thermometers
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 100 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 150 mW | Channel Mode | Enhancement |
Series | RU1C001UN | Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Single | Fall Time | 38 ns |
Forward Transconductance - Min | 180 mS | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 4 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Part # Aliases | RU1C001UN | Unit Weight | 0.000212 oz |
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