RS6R035BHTB1

NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
8,525 有效庫存

RS6R035BHTB1

有效庫存8,525

NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE

  • 製造商零件號 # : RS6R035BHTB1

  • 包裝/封裝: HSOP-8

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Rohm Semiconductor

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

N-Channel 150 V 35A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Status Active FET Type N-Channel
Technology Si Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 35A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 75 V Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 73W (Tc)
Operating Temperature ! 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSOP Package / Case HSOP-8
Manufacturer ROHM Semiconductor Product Category ! MOSFET
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V Id - Continuous Drain Current 35 A
Rds On - Drain-Source Resistance 41 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 25 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 73 W Channel Mode Enhancement
Brand ROHM Semiconductor Configuration Single
Fall Time 17 ns Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 12 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time 41 ns
Typical Turn-On Delay Time 21 ns Part # Aliases RS6R035BH

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