RS6L090BGTB1
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
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製造商零件號 # : RS6L090BGTB1
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包裝/封裝: HSOP-8
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Rohm Semiconductor
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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捲帶式
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RS6L090BGTB1 數據表
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詳細說明
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | Si | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 90A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 30 V | Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 73W (Tc) |
Operating Temperature ! | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-HSOP | Package / Case | HSOP-8 |
Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 90 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 28 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 73 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
Fall Time | 15 ns | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 13 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
Subcategory | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 18 ns | Part # Aliases | RS6L090BG |
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