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RRH100P03GZETB
4V Drive P-channel MOSFET, specifically identified as RRH100P03GZETB."
RRH100P03GZETB
4V Drive P-channel MOSFET, specifically identified as RRH100P03GZETB."
品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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RRH100P03GZETB 數據表
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詳細說明
RRH100P03GZETB is a P-channel MOSFET designed for use in electronic circuits that require efficient power management. This particular MOSFET has a maximum drain-source voltage of 30V and a maximum continuous drain current of 10A, making it suitable for a variety of low to medium power applications. The MOSFET is housed in an 8-SOP (Small Outline Package) which is a surface mount package with 8 pins, providing a compact and space-saving solution for electronic designs. This package type also allows for easy installation and soldering onto printed circuit boards. RRH100P03GZETB is designed to efficiently switch and control power in electronic devices such as battery chargers, power supplies, motor control circuits, and LED lighting applications. The P-channel design allows for convenient interfacing with microcontrollers and other control circuitry, enabling simple on/off control of power flow.
主要特徵
- Model: RRH100P03GZETB
- Frequency range: 1695-2200 MHz
- Output power: 30W
- Compact and lightweight design
- High efficiency and reliability
- Easy to install and configure
應用
- Remote radio heads in 5G networks
- Small cell base stations
- Distributed antenna systems (DAS)
- Wireless infrastructure for smart cities
- Private LTE networks
- Industrial IoT applications
- M2M communication
- Public safety networks
- Fixed wireless access
- Mobile backhaul
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category ! | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Series | RRH100P03 | Packaging ! | Reel |
| Unit-Weight | SOP-8 |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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