RQ7E100ATTCR
Features: This MOSFET operates at a voltage of 10V and dissipates 1.1W of power when conducting 10A, with a gate threshold voltage of 2.5V at 1mARQ7E100ATTCR
Features: This MOSFET operates at a voltage of 10V and dissipates 1.1W of power when conducting 10A, with a gate threshold voltage of 2.5V at 1mA
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製造商零件號 # : RQ7E100ATTCR
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包裝/封裝: 8-SMD,FlatLead
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Rohm Semiconductor
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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例子
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RQ7E100ATTCR 數據表
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詳細說明
RQ7E100ATTCR is a P-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a maximum voltage rating of 30V and a maximum current rating of 10A. The TSMT8 package type indicates that it is housed in a small surface-mount package with 8 leads. MOSFETs are widely used in electronic devices for switching and amplifying signals due to their high switching speed and efficiency. This specific MOSFET, RQ7E100ATTCR, is designed for applications that require low power consumption and efficient power management. The P-channel configuration means that it conducts electricity when a negative voltage is applied to the gate terminal, making it suitable for use in circuits where the load is connected to the positive supply voltage. The compact TSMT8 package is ideal for space-constrained applications where size and weight are critical factors. This MOSFET is commonly used in power management circuits, battery protection circuits, and load switching applications in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, and power adapters.
主要特徵
- Low on - resistance.
- Small Surface Mount Package (TSMT8).
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
應用
- Industrial automation
- Robotics
- Material handling
- Automotive assembly
- Supply chain management
- Warehouse logistics
- Food processing
- Agricultural harvesting
- Medical device manufacturing
- Pharmaceutical production
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 10A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2370 pF @ 15 V | Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
Operating Temperature ! | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | TSMT8 | Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Base Product Number | RQ7E100 |
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