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RHU002N06T106
N-Channel Small Signal MosFet with 200 mW Power Rating, 60 V Voltage Rating, and 2.4 Ohm Resistance in UMT-3 Package
RHU002N06T106
N-Channel Small Signal MosFet with 200 mW Power Rating, 60 V Voltage Rating, and 2.4 Ohm Resistance in UMT-3 Package
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製造商零件號 # : RHU002N06T106
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包裝/封裝: SOT-323-3
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零件狀態 : NRND
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製造商: Rohm Semiconductor
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
RHU002N06T106 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 10 | $0.055 | $0.55 |
| 100 | $0.050 | $5.00 |
| 300 | $0.047 | $14.10 |
| 3000 | $0.045 | $135.00 |
| 6000 | $0.044 | $264.00 |
| 9000 | $0.043 | $387.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The RHU002N06T106 is a N Channel MOSFET with a Drain Source Voltage of 60V and a Continuous Drain Current of 200mA. This small signal transistor has an On Resistance of 2.4ohm and a Threshold Voltage of 2.5V. The UMT package has 3 pins and a Power Dissipation of 200mW. It is designed to operate in a wide temperature range from -55°C to +150°C, making it suitable for a variety of applications. The UMT3 case style and SMD termination type make it easy to integrate into different electronic designs. With a Voltage Vgs Max of 20V and a Voltage Vds Typ of 60V, this MOSFET offers reliable performance. Additionally, the absence of SVHC (Substances of Very High Concern) makes it an environmentally friendly choice
主要特徵
- Fast recovery time minimizes tail current
- High-power rating with low on-resistance
- Suitable for DC-DC converters and motor drives
- Limited inrush current ensures safe operation
應用
- Smartphone accessories
- High performance laptops
- Multifunctional tablets
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-323-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 2.2 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW | Channel Mode | Enhancement |
| Series | RHU002N06 | Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Height | 0.8 mm | Length | 2 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type ! | MOSFET |
| Rise Time ! | 8 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns | Width | 1.25 mm |
| Part # Aliases | RHU002N06 | Unit Weight | 0.000212 oz |
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