RD35HUF2
N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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製造商零件號 # : RD35HUF2
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包裝/封裝: SSOP-16
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製造商: Mitsubishi Electric
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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例子
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RD35HUF2 數據表
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詳細說明
RD35HUF2 is MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF power amplifiers applications.FEATURES1. Supply with Tape and Reel. 500 Units per Reel.2. Employing Mold Package3. High Power and High Efficiency Pout=43Wtyp, Drain Effi.=60%typ @ Vds=12.5V Idq=0.5A Pin=3.0W f=530MHz Pout=45Wtyp, Drain Effi.=72%typ @ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=3.0W f=175MHz4. Integrated gate protection diodeAPPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF band mobile radio sets.
主要特徵
- 1. Supply with Tape and Reel. 500 Units per Reel.
- 2. Employing Mold Package
- 3. High Power and High Efficiency
- Pout=43Wtyp, Drain Effi.=60%typ
- @ Vds=12.5V Idq=0.5A Pin=3.0W f=530MHz
- Pout=45Wtyp, Drain Effi.=72%typ
- @ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=3.0W f=175MHz
- 4. Integrated gate protection diode
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Part Life Cycle Code | Active | Pin Count ! | 8 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Case Connection | SOURCE | Configuration | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
DS Breakdown Voltage-Min | 40 V | Drain Current-Max (ID) | 10 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 Code | R-CDFM-F8 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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