R6011ENX
N-channel MOSFET, 600 volts, 11 amps, 390 milliohms, TO-220FP-3 package, RoHS compliantR6011ENX
N-channel MOSFET, 600 volts, 11 amps, 390 milliohms, TO-220FP-3 package, RoHS compliant
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製造商零件號 # : R6011ENX
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包裝/封裝: TO-220-3FullPack
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Rohm Semiconductor
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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R6011ENX 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $1.582 | $1.58 |
200 | $0.613 | $122.60 |
500 | $0.591 | $295.50 |
1000 | $0.580 | $580.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The R6011ENX is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for demanding applications. With a current rating of 11A and a voltage rating of 600V, this N-Channel FET is perfect for power management in various electronic circuits. The low on-state resistance of 0.39ohm ensures efficient power delivery with minimal losses, making it ideal for high power applications
主要特徵
- High efficiency and reliable
- Wide input voltage range
- Compact size and lightweight design
- Short-circuit, overload, over voltage, and over temperature protection
- Designed for use in industrial automation, telecommunications, and renewable energy applications
應用
- Industrial automation
- Robotics
- Sensor networks
- Internet of Things (IoT)
- Smart cities
- Smart agriculture
- Healthcare
- Smart homes
- Energy management
- Environmental monitoring
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Package | Bulk | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) | Operating Temperature ! | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220FM |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack | Base Product Number | R6011 |
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