R6002END3TL1
TO-252 package compliant with ROHS regulations
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製造商零件號 # : R6002END3TL1
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包裝/封裝: DPAK-3
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Rohm Semiconductor
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
R6002END3TL1 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.458 | $0.46 |
200 | $0.177 | $35.40 |
500 | $0.171 | $85.50 |
1000 | $0.168 | $168.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The R6002END3TL1 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use as a power switch in electronic circuits. It is an N-channel MOSFET with a maximum voltage rating of 600V and a continuous drain current rating of 1.7A. The package type of this component is TO252, which is a small surface mount package that makes it suitable for applications where space is limited. This MOSFET is characterized by its high voltage and current handling capabilities, making it ideal for use in power supply circuits, motor control applications, and other high-power electronics. Its low on-state resistance results in reduced power losses and improved efficiency in circuits where it is used. The R6002END3TL1 also features high switching speeds, allowing for quick and efficient operation in switching applications.
主要特徵
- Low on-resistance
- Fast switching
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
應用
- Industrial automation
- Smart grid monitoring and control
- Traffic management systems
- Building automation
- Environmental monitoring
- Telecommunications networks
- Agricultural monitoring and control
- Water and wastewater management
- Oil and gas pipeline monitoring
- Security and surveillance systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 6.5 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 26 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
Fall Time | 60 ns | Forward Transconductance - Min | 0.5 S |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 16 ns |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns | Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
Part # Aliases | R6002END3 | Unit Weight | 0.011640 oz |
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