PSMN1R0-30YLC,115

PSMN1R0-30YLC part number
7,232 有效庫存

PSMN1R0-30YLC,115

有效庫存7,232

PSMN1R0-30YLC part number

  • 製造商零件號 # : PSMN1R0-30YLC,115

  • 包裝/封裝: LFPAK-56

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: NEXPERIA

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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運輸與付款

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服務與包裝

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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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PSMN1R0-30YLC,115 數據表
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詳細說明

From power supply units to motor control systems, the PSMN1R0-30YLC,115 is the go-to choice for professionals seeking a high-quality MOSFET solution. Its enhanced N-channel design provides superior conductivity and efficiency, while its logic level compatibility makes it easy to interface with a wide range of electronic components. With a focus on durability and longevity, this product is built to withstand the rigors of daily use in industrial, communications, and domestic applications

PSMN1R0-30YLC,115

主要特徵

  • Reduced electrical noise emissions
  • Advanced gate drive control for optimal performance
  • High reliability with minimal failures

應用

  • Telecommunication equipment
  • Medical devices
  • Instrumentation systems
NEXPERIA Inventory

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Active Part Package Code SOIC
Pin Count ! 4 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature ! HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas) 259 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 100 A Drain-source On Resistance-Max 0.0014 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code MO-235
JESD-30 Code R-PSSO-G4 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 4 Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1450 A
Reference Standard IEC-60134 Surface Mount ! YES
Terminal Finish TIN Terminal Form ! GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103.5 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6645 pF @ 15 V Power Dissipation (Max) 272W (Tc)
Operating Temperature ! -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8 Package / Case SC-100, SOT-669
Base Product Number PSMN1R0

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 PSMN1R0-30YLC,115 PDF 下載

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