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PBHV8215Z
PBHV8215Z is a compact bipolar transistor optimized for small signal applicationsPBHV8215Z
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品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
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PBHV8215Z 數據表
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詳細說明
General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9215Z.Features■ High voltage■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat■ High collector current capability IC and ICM■ High collector current gain (hFE) at high IC■ AEC-Q101 qualified■ Medium power SMD plastic packageApplications■ LED driver for LED chain module■ LCD backlighting■ Automotive motor management■ Switch Mode Power Supply (SMPS)
主要特徵
- High voltage
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- AEC-Q101 qualified
- Medium power SMD plastic package
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Date Of Intro | 2017-02-01 | Case Connection | COLLECTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 2 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 150 V |
| Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 55 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 4 | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | NPN |
| Reference Standard | AEC-Q101 | Surface Mount ! | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 33 MHz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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