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NTS0102DP
Dual supply translating transceiver
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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NTS0102DP 數據表
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詳細說明
NTS0102DP is a thin film N-channel depletion mode transistor designed for high power and high frequency applications. It is specifically optimized for RF power amplification and switching circuits in the frequency range of 100 MHz to 6 GHz. The device features a low on-state resistance, high power handling capability, and low gate leakage current, making it suitable for demanding RF applications.NTS0102DP has a drain-source voltage rating of 100V and a continuous drain current rating of 2A. The gate threshold voltage is typically -2V, with a maximum gate-source voltage of ±20V. The device is housed in a small surface-mount plastic package, making it easy to integrate into compact RF circuit designs.The transistor's high power handling capability and low on-state resistance result in efficient power amplification and switching performance, making it well-suited for applications such as cellular base stations, radar systems, and wireless communication equipment. Additionally, its high frequency range allows for operation in a wide range of RF applications.
主要特徵
- The features of NTS0102DP include dual supply translating transceiver
- open-drain
- and auto direction sensing
應用
- Sensor signal processing
- Industrial machinery
- Automotive systems
- Medical devices
- Consumer electronics
- Robotics
- Smart appliances
- Internet of Things (IoT) devices
- Aerospace and defense systems
- Power management systems
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| isSample | true | sampleItemType | ITEM_TYPE_SAMPLE |
| leadTime | 18 | exclusiveItemType | ITEM_TYPE_SAMPLE |
| minPackQty | 3000 | isExSample | true |
| salesNum | NTS0102DP,125 | pack_type | REEL |
| pack_desc | Reel 7" Q3/T4 | status | Active |
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