MT46V16M16P-5B:K
DDR DRAM 16MX16 0.7ns CMOS PDSO66 0.40 INCH LEAD FREE PLASTIC TSOP-66MT46V16M16P-5B:K
DDR DRAM 16MX16 0.7ns CMOS PDSO66 0.40 INCH LEAD FREE PLASTIC TSOP-66
品質保證
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MT46V16M16P-5B:K 數據表
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詳細說明
MT46V64M4 – 16 MEG x 4 x 4 BANKS MT46V32M8 – 8 MEG x 8 x 4 BANKS MT46V16M16 – 4 MEG x 16 x 4 BANKSGeneral Description The 256Mb DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a quad bank DRAM.Features •VDD= +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V • Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/received with data, i.e., source-synchronous data capture (x16 has two – one per byte) • Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle • Differential clock inputs (CK and CK#) • Commands entered on each positive CK edge • DQS edge-aligned with data for READs; center-aligned with data for WRITEs • DLL to align DQ and DQS transitions with CK • Four internal banks for concurrent operation • Data mask (DM) for masking write data (x16 has two – one per byte) • Programmable burst lengths: 2, 4, or 8 • Auto Refresh and Self Refresh Modes • Longer-lead TSOP for improved reliability (OCPL) • 2.5V I/O (SSTL_2 compatible) • Concurrent auto precharge option supported •tRAS lockout supported (tRAP =tRCD)
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主要特徵
- VDD= +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V
- Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/received with data, i.e., source-synchronous data capture (x16 has two – one per byte)
- Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle
- Differential clock inputs (CK and CK#)
- Commands entered on each positive CK edge
- DQS edge-aligned with data for READs; center-aligned with data for WRITEs
- DLL to align DQ and DQS transitions with CK
- Four internal banks for concurrent operation
- Data mask (DM) for masking write data (x16 has two – one per byte)
- Programmable burst lengths: 2, 4, or 8
- Auto Refresh and Self Refresh Modes
- Longer-lead TSOP for improved reliability (OCPL)
- 2.5V I/O (SSTL_2 compatible)
- Concurrent auto precharge option supported
- tRAS lockout supported (tRAP =tRCD)
![MICRON Inventory MICRON Inventory](/files/uploads/inventory/micron/micron.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Part Package Code | TSOP |
Pin Count ! | 66 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code ! | 8542.32.00.24 |
Access Mode ! | FOUR BANK PAGE BURST | Access Time-Max | 0.7 ns |
Additional Feature ! | AUTO/SELF REFRESH | Clock Frequency-Max (fCLK) | 200 MHz |
I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 2,4,8 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G66 | JESD-609 Code | e3 |
Length | 22.22 mm | Memory Density | 268435456 bit |
Memory IC Type | DDR1 DRAM | Memory Width | 16 |
Moisture Sensitivity Level | 3 | Number of Functions | 1 |
Number of Ports ! | 1 | Number of Terminals | 66 |
Number of Words | 16777216 words | Number of Words Code | 16000000 |
Operating Mode ! | SYNCHRONOUS | Operating Temperature-Max | 70 °C |
Operating Temperature-Min | Organization | 16MX16 | |
Output Characteristics | 3-STATE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSSOP | Package Equivalence Code | TSSOP66,.46 |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Power Supplies ! | 2.6 V |
Qualification Status ! | Not Qualified | Refresh Cycles | 8192 |
Seated Height-Max | 1.2 mm | Self Refresh | YES |
Sequential Burst Length | 2,4,8 | Standby Current-Max | 0.004 A |
Supply Current-Max | 0.29 mA | Supply Voltage-Max (Vsup) | 2.7 V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.5 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.6 V |
Surface Mount ! | YES | Technology | CMOS |
Temperature Grade ! | COMMERCIAL | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Pitch ! | 0.65 mm |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Width | 10.16 mm |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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