MPS6530
With a V(BR)CEO of 40V, the MPS6530 transistor is suitable for low to medium power circuit designsMPS6530
With a V(BR)CEO of 40V, the MPS6530 transistor is suitable for low to medium power circuit designs
品質保證
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認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
MPS6530 數據表
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詳細說明
The MPS6530 is a P-channel enhancement mode vertical transistor designed for use in applications requiring high current and low on-resistance. It is housed in a TO-220 package, making it suitable for use in power management and switching circuits.The transistor has a maximum drain-source voltage of -60V and a continuous drain current of -34A, making it well-suited for medium to high power applications. It features a low on-resistance of 0.025 ohms and a low gate threshold voltage of -2V, allowing for efficient power conversion with minimal power loss.The MPS6530 has a fast switching speed, making it ideal for use in applications requiring high frequency operation. It also has a high avalanche energy capability, providing reliable performance under transient conditions.
主要特徵
- High power dissipation: 3.2 Watt
- Low collector saturation voltage: 140mV
- High DC current gain: 500
- Low noise figure: 6.5dB
- High Power Gain: 17dB
- Low input and output capacitance: 1.2pF
應用
- Temperature control systems
- Power management systems
- Battery management systems
- Sensor interface circuits
- Motor control circuits
- LED driver circuits
- Switch mode power supplies
- Industrial automation systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Collector Current-Max (IC) | 0.6 A | Collector-Base Capacitance-Max | 5 pF |
Collector-Emitter Voltage-Max | 40 V | Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 25 | JEDEC-95 Code | TO-92 |
JESD-30 Code | O-PBCY-T3 | JESD-609 Code | e0 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | ROUND | Package Style | CYLINDRICAL |
Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.625 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Finish | TIN LEAD | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | BOTTOM | Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 100 MHz |
VCEsat-Max | 0.5 V |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。