MB85R256
Memory FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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例子
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捲帶式
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剪膠帶
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MB85R256 數據表
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詳細說明
SThe MB85R256 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words x 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells.Unlike SRAM MB85R256 is able to retain data without back-up battery.The memory cells used for the MB85R256 has inproved at least 1010 times of read/write access per bit, significantly outperforming FLASH memory and EEPROM in durability.The MB85R256 uses a pseudo - SRAM interface compatible with conventional asynchronous SRAM.
![](/files/uploads/product/b/b64c5f0a91fb437e816e201cf7e73931.webp)
主要特徵
- Bit configuration: 32,768 words x 8 bits
- Read/write durability: 1010 times/bit (Min)
- Peripheral circuit CMOS construction
- Operating power supply voltage: 3.0 V to 3.6 V
- Operating temperature range: −40 °C to +85 °C
- 28-pin, SOP flat package
- 28-pin, TSOP(1) flat package
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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