M5M44400BJ

FAST PAGE MODE 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT)DYNAMIC RAM
5,079 有效庫存

M5M44400BJ

有效庫存5,079

FAST PAGE MODE 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT)DYNAMIC RAM

  • 製造商零件號 # : M5M44400BJ

  • 包裝/封裝: SOJ20

  • 製造商: MITSUBISHI

  • 產品分類 : DRAMs

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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M5M44400BJ 數據表
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詳細說明

This is a family of 1048576-word by 4-bit dynamic RAMs, fabricated with the high performance CMOS process,and is ideal for largecapacity memory systems where high speed, low power dissipation, and low costs are essential.The use of quadruple-layer polysilicon process combined with silicide technology and a single-transistor dynamic storage stacked capacitor cell provide high circuit density at reduced costs. Multiplexed address inputs permit both a reduction in pins and an increase in system densities.Self or extended refresh current is low enough for battery back-up application.FEATURES● Standard 26 pin SOJ, 26 pin TSOP(II)● Single 5V±10%supply● Low stand-by power dissipation CMOS lnput level - - - - - - - - - - - - - 5.5mW (Max) * CMOS lnput level - - - - - - - - - - - - - 550µW (Max)● Low operating power dissipation M5M44405Cxx-5,-5S - - - - - - - - - - - 687.5mW (Max) M5M44405Cxx-6,-6S - - - - - - - - - - - 550.0mW (Max) M5M44405Cxx-7,-7S - - - - - - - - - - - 467.5mW (Max)● Self refresh capabiility * Self refresh current - - - - - - - - - - - - - - - 120µA(max)● Extended refresh capability * Extended refresh current - - - - - - - - - - - 120µA(max)● Hyper-page mode (1024-bit random access), Read-modify- write, RAS-only refresh CAS before RAS refresh, Hidden refresh, CBR self refresh(-5S,-6S,-7S) capabilities● Early-write mode and OE and W to control output buffer impedance● All inputs, output TTL compatible and low capacitance● 1024 refresh cycles every 16.4ms (A0~A9)● 1024refresh cycle every 128ms (A0~A9) *● 4-bit parallel test mode capability * : Applicable to self refresh version (M5M44405CJ,TP-5S,-6S,-7S : option) onlyAPPLICATION Main memory unit for computers, Microcomputer memory, Refresh memory for CRT, Frame Buffer memory for CRT

主要特徵

  • Standard 26 pin SOJ, 26 pin TSOP(II)
  • Single 5V±10%supply
  • Low stand-by power dissipation
  • CMOS lnput level - - - - - - - - - - - - - 5.5mW (Max)
  • CMOS lnput level - - - - - - - - - - - - - 550µW (Max)
  • Low operating power dissipation
  • M5M44405Cxx-5,-5S - - - - - - - - - - - 687.5mW (Max)
  • M5M44405Cxx-6,-6S - - - - - - - - - - - 550.0mW (Max)
  • M5M44405Cxx-7,-7S - - - - - - - - - - - 467.5mW (Max)
  • Self refresh capabiility
  • Self refresh current - - - - - - - - - - - - - - - 120µA(max)
  • Extended refresh capability
  • Extended refresh current - - - - - - - - - - - 120µA(max)
  • Hyper-page mode (1024-bit random access), Read-modify- write,
  • RAS-only refresh CAS before RAS refresh, Hidden refresh, CBR
  • self refresh(-5S,-6S,-7S) capabilities
  • Early-write mode and OE and W to control output buffer impedance
  • All inputs, output TTL compatible and low capacitance
  • 1024 refresh cycles every 16.4ms (A0~A9)
  • 1024refresh cycle every 128ms (A0~A9)
  • 4-bit parallel test mode capability
  • : Applicable to self refresh version (M5M44405CJ,TP-5S,-6S,-7S : option) only

應用

  • Main memory unit for computers, Microcomputer memory, Refresh memory for CRT, Frame Buffer memory for CRT
MITSUBISHI Inventory

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer MITSUBISH Product Category ! IC Chips

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 M5M44400BJ PDF 下載

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