M29W640GB70ZA6E

Compact form factor
8,654 有效庫存

M29W640GB70ZA6E

有效庫存8,654

Compact form factor

  • 製造商零件號 # : M29W640GB70ZA6E

  • 包裝/封裝: 48-TFBGA

  • 零件狀態 : OBSOLETE

  • 製造商: Micron Technology Inc.

  • 產品分類 : Memory

  • RoHS:

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

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例子

捲帶式

捲帶式

剪膠帶

剪膠帶

管或託盤

管或託盤

M29W640GB70ZA6E 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $6.608 $6.61
187 $2.636 $492.93
561 $2.549 $1,429.99
935 $2.506 $2,343.11

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詳細說明

With a capacity of 64Mb and fast read/write speeds, the Macronix M29W640GB70ZA6E flash memory chip is a high-performance solution suited for a variety of applications. Its standard operating voltage of 2.7 to 3.6 volts makes it compatible with different systems, while the parallel interface simplifies its integration. Additionally, the industry-standard TSOP package used in the M29W640GB70ZA6E ensures ease of implementation in electronic designs. This chip also offers sector protection and low-power modes, enhancing its efficiency and making it an excellent choice for battery-powered devices. Whether it's for embedded systems, consumer electronics, or automotive devices, the M29W640GB70ZA6E provides the necessary performance and functionalities for modern applications

主要特徵

  • SUPPLY VOLTAGE
  • – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase, Read
  • – VPP =12 V for Fast Program (optional)
  • ACCESS TIME: 70, 90 ns
  • PROGRAMMING TIME
  • – 10 µs per Byte/Word typical
  • – Double Word Programming Option
  • 135 MEMORY BLOCKS
  • – 1 Boot Block and 7 Parameter Blocks, 8 KBytes each (Top or Bottom Location)
  • – 127 Main Blocks, 64 KBytes each
  • PROGRAM/ERASE CONTROLLER
  • – Embedded Byte/Word Program algorithms
  • ERASE SUSPEND and RESUME MODES
  • – Read and Program another Block during Erase Suspend
  • UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
  • – Faster Production/Batch Programming
  • VPP/WP Pin for FAST PROGRAM and WRITE PROTECT
  • TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION MODE
  • COMMON FLASH INTERFACE
  • – 64-bit Security Code
  • EXTENDED MEMORY BLOCK
  • – Extra block used as security block or to store additional information
  • LOW POWER CONSUMPTION
  • – Standby and Automatic Standby
  • 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK
  • ELECTRONIC SIGNATURE
  • – Manufacturer Code: 0020h
  • – Top Device Code M29W640DT: 22DEh
  • – Bottom Device Code M29W640DB: 22DFh

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Status Obsolete Programmable Not Verified
Memory Type ! NOR Memory Format FLASH
Technology FLASH - NOR Memory Size ! 64 Mbit
Memory Organization 8M x 8, 4M x 16 Memory Interface ! Parallel
Write Cycle Time - Word, Page 70ns Access Time 70 ns
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature ! -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Package / Case TFBGA-48
Supplier Device Package 48-TFBGA (6x8) Base Product Number M29W640
Manufacturer STMicroelectronics Product Category ! NOR Flash
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Series M29W Supply Voltage - Min 2.7 V
Supply Voltage - Max 3.6 V Active Read Current - Max 10 mA
Interface Type Parallel Organization 8 M x 8/4 M x 16
Data Bus Width 8 bit/16 bit Timing Type Asynchronous
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature ! + 85 C
Architecture Block Erase Brand STMicroelectronics
Moisture Sensitive Yes Product Type ! NOR Flash
Speed 70 ns Standard Common Flash Interface (CFI)
Factory Pack Quantity 187 Subcategory Memory & Data Storage

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    6,529 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1