KSD2012GTU
1000-TUBE NPN Epitaxial Silicon Transistor KSD2012GTUKSD2012GTU
1000-TUBE NPN Epitaxial Silicon Transistor KSD2012GTU
品質保證
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認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
KSD2012GTU 數據表
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詳細說明
KSD2012GTU is a type of bipolar junction transistor (BJT) known as an NPN transistor, which means it is designed to amplify and switch electronic signals. The transistor has a maximum voltage rating of 60V and a current rating of 3A, making it suitable for medium-power applications. The TO220F-3 package refers to the physical casing of the transistor, which is a through-hole package with three leads for easy mounting on a circuit board. This package is commonly used for power transistors as it allows for efficient heat dissipation. The KSD2012GTU transistor is commonly used in a variety of electronic circuits, including voltage regulators, power amplifiers, and motor control circuits. Its high voltage and current ratings make it versatile for a wide range of applications where medium-power amplification or switching is required.
主要特徵
- High-definition display
- Finger-friendly touchscreen
- Long battery life
- User-friendly interface
應用
- Automotive uses
- Energy management
- Robotics applied
- Consumer tech
- Industrial apps
- Telecom systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 Weeks | Case Connection | ISOLATED |
Collector Current-Max (IC) | 3 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 60 V |
Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 150 |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 25 W | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 3 MHz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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