K4S281632O-LC75

Name: K4S281632O-LC75
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The K4S281632O-LC75 chip is a high-speed, low-power Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) component used in various electronic devices

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K4S281632O-LC75

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The K4S281632O-LC75 chip is a high-speed, low-power Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) component used in various electronic devices

製造商零件號 # : K4S281632O-LC75
包裝/封裝: TSSOP
製造商: SAMSUNG
產品分類 : DC DC Switching Controllers

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

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西聯匯款

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服務與包裝

About After Sales Service

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自發貨之日起 90 天內發起申請。

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保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

K4S281632O-LC75 數據表

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詳細說明

The K4S281632O-LC75 is a synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip manufactured by Samsung Electronics. It has a capacity of 256 megabytes (MB) and operates at a clock frequency of 133 MHz. The chip is organized as a 4Mx16 configuration, meaning it has 4 million cells with each cell storing 16 bits of data.The K4S281632O-LC75 features a low 7.5ns access time, which allows for fast data retrieval and processing. It also operates at a low voltage of 3.3V, making it energy-efficient and suitable for use in a variety of devices.This SDRAM chip is designed for use in computer systems, networking equipment, and other devices that require high-speed and efficient memory performance. It is compatible with a range of memory controllers and supports burst mode, allowing for rapid data transfer.

主要特徵

64M x 1 bit x 4 banks synchronous DRAM
High-speed data transfer rates up to 133 MHz
Low power consumption
Operates from a +3.3V (± 0.3V) power supply
Programmable CAS latency of 2, 3 clocks
Internal pipelined operation

應用

Mobile devices
Smartphones
Tablets
Digital cameras
MP3 players
GPS systems
Handheld gaming devices
Automotive infotainment systems
Industrial equipment
Medical devices

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code !	8542.32.00.02	Access Time-Max	5.4 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)	133 MHz	I/O Type	COMMON
Interleaved Burst Length	1,2,4,8	JESD-30 Code	R-PDSO-G54
JESD-609 Code	e6	Memory Density	134217728 bit
Memory IC Type	SYNCHRONOUS DRAM	Memory Width	16
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Terminals	54
Number of Words	8388608 words	Number of Words Code	8000000
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min
Organization	8MX16	Output Characteristics	3-STATE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Code	TSOP
Package Equivalence Code	TSOP54,.46,32	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Power Supplies !	3.3 V	Qualification Status !	Not Qualified
Refresh Cycles	4096	Sequential Burst Length	1,2,4,8,FP
Standby Current-Max	0.002 A	Supply Current-Max	0.06 mA
Supply Voltage-Nom (Vsup)	3.3 V	Surface Mount !	YES
Technology	CMOS	Temperature Grade !	OTHER
Terminal Finish	TIN BISMUTH	Terminal Form !	GULL WING
Terminal Pitch !	0.8 mm	Terminal Position	DUAL