ISC009N06LM5
ISC009N06LM5 is a power MOSFET chip with low on-resistance for efficient power management applications.ISC009N06LM5
ISC009N06LM5 is a power MOSFET chip with low on-resistance for efficient power management applications.
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製造商零件號 # : ISC009N06LM5
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包裝/封裝: PGTSON8
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製造商: INFINEON
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產品分類 : Power Supply Modules
品質保證
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運輸與付款
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捲帶式
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詳細說明
ISC009N06LM5 is a metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) manufactured by Infineon Technologies AG. It is designed for use in high-power applications, such as power supplies, motor controls, and battery management systems. The ISC009N06LM5 features a drain-source voltage rating of 60V, a continuous drain current of 90A, and a low on-resistance of 0.009 ohms. This makes it suitable for high-efficiency power switching applications. The transistor is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and ease of mounting on a heat sink.In addition, the ISC009N06LM5 is designed to operate at high temperatures, with a maximum junction temperature of 175°C. It also has built-in protection features, such as overcurrent and overtemperature protection, to ensure reliable operation in demanding environments.
主要特徵
- Optimized for low on-state resistance
- Improved gate charge and switching characteristics
- Enhanced ruggedness and reliability
- High performance and efficiency
- Designed for power management applications
- RoHS compliant
應用
- Electric vehicles
- Renewable energy systems
- Industrial automation
- Power tools
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Solar inverters
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | Infineon Technologies |
Series | OptiMOS™ 5 | Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)® |
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 348A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 50A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 147µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 209 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) | Operating Temperature ! | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
Package / Case | 8-PowerTDFN | Base Product Number | ISC009N |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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