IS43TR16256A-125KBLI

Name: IS43TR16256A-125KBLI
Rating: 4.5 (10 reviews)

Experience seamless multitasking and faster data processing with the 4Gbit 256Mx16 memory configuration of this cutting-edge DRAM chip."

5,432 有效庫存

IS43TR16256A-125KBLI

有效庫存5,432

Experience seamless multitasking and faster data processing with the 4Gbit 256Mx16 memory configuration of this cutting-edge DRAM chip."

製造商零件號 # : IS43TR16256A-125KBLI
包裝/封裝: BGA-96
製造商: Issi, Integrated Silicon Solution Inc
產品分類 : Memory

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

電匯

Paypal

信用卡

西聯匯款

速匯金

服務與包裝

About After Sales Service

All Parts Extended Quality Guarantee

自發貨之日起 90 天內發起申請。

與我們的工作人員確認退貨或換貨。

保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

IS43TR16256A-125KBLI 數據表

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詳細說明

The IS43TR16256A-125KBLI is a cutting-edge DDR3L SDRAM memory chip developed by Integrated Silicon Solution Inc. With a storage capacity of 2GB and an impressive operating speed of 125MHz, this chip delivers exceptional performance for a wide range of electronic devices. Its dual-rank 1G x 16 configuration and 64ms refresh interval ensure efficient data processing and rapid memory access. Moreover, its low voltage operation at 1.35V makes it an ideal choice for energy-conscious applications

主要特徵

Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V
Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- Backward compatible to 1.5V
High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz
8 internal banks for concurrent operation
8n-Bit pre-fetch architecture
Programmable CAS Latency
Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2
Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
Programmable Burst Length: 4 and 8
Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave
BL switch on the fly
Auto Self Refresh(ASR)
Self Refresh Temperature(SRT)
Refresh Interval:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C
Partial Array Self Refresh
Asynchronous RESET pin
TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)
OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
Dynamic ODT (On-Die Termination)
Driver strength : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
Write Leveling
Up to 200 MHz in DLL off mode
Operating temperature:
Commercial (TC = 0°C to +95°C)
Industrial (TC = -40°C to +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C to +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C to +105°C)

Issi, Integrated Silicon Solution Inc Inventory

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category !	DRAM	RoHS	Details
Type	SDRAM - DDR3	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	BGA-96	Data Bus Width	16 bit
Organization	256 M x 16	Memory Size !	4 Gbit
Maximum Clock Frequency	800 MHz	Access Time	20 ns
Supply Voltage - Max	1.575 V	Supply Voltage - Min	1.425 V
Supply Current - Max	290 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature !	+ 95 C	Series	IS43TR16256A
Brand	ISSI	Moisture Sensitive	Yes
Product Type !	DRAM	Factory Pack Quantity	190
Subcategory	Memory & Data Storage	Unit Weight	0.218050 oz