IRG4BC20UPBF

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Ultrafast 600V IGBT transistors suitable for applications requiring rapid switching in the 8-60kHz frequency range

  • 製造商零件號 # : IRG4BC20UPBF

  • 包裝/封裝: TO-220-3

  • 零件狀態 : OBSOLETE

  • 製造商: Infineon Technologies

  • 產品分類 : Single IGBTs

品質保證

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詳細說明

IGBT 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB

主要特徵

The IRF6645PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.The IRF6645PbF is optimized for primary side bridge topologies in isolated DC-DC applications, for wide range universal input Telecom applications (36V - 75V), and for secondary side synchronous rectification in regulated DC-DC topologies. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance isolated DC-DC converters. Features:
  • RoHS Compliant
  • Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
  • Application Specific MOSFETs
  • Ideal for High Performance Isolated Converter
  • Primary Switch Socket
  • Optimized for Synchronous Rectification
  • Low Conduction Losses
  • High Cdv/dt Immunity
  • Low Profile (<0.7mm)
  • Dual Sided Cooling Compatible
  • Compatible with existing Surface Mount Techniques
  • 應用

    • HVAC
    • Consumer Electronics
    • Power Management

    規格

    以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

    Package Tube Product Status Obsolete
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V Current - Collector (Ic) (Max) 13 A
    Current - Collector Pulsed (Icm) 52 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A
    Power - Max 60 W Switching Energy 100µJ (on), 120µJ (off)
    Input Type Standard Gate Charge ! 27 nC
    Td (on/off) @ 25°C 21ns/86ns Test Condition 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
    Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
    Package / Case TO-220-3 Supplier Device Package TO-220AB

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      製造商: Infineon Technologies 包裝/箱: SOIC-8

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