IRFZ48NSPBF

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IRFZ48NSPBF: A high-performance MOSFET boasting a 55V voltage rating

  • 製造商零件號 # : IRFZ48NSPBF

  • 包裝/封裝: TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB

  • 零件狀態 : OBSOLETE

  • 製造商: Infineon Technologies

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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捲帶式

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詳細說明

The IRFZ48NSPBF is a high-performance power field-effect transistor, designed for demanding applications that require high current handling capability. With a continuous drain current rating of 64A and a low on-resistance of 0.014ohm, this N-channel MOSFET is ideal for use in power supply circuits, motor control, and other power management applications

主要特徵

  • 175 °C Junction Temperature
  • TrenchFET® Power MOSFET

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Series HEXFET® Package Tube
Product Status Discontinued FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 32A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1970 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Operating Temperature ! -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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