IRF641
This MOSFET has a low on-resistance of 0.18 ohms, making it suitable for high-power applicationsIRF641
This MOSFET has a low on-resistance of 0.18 ohms, making it suitable for high-power applications
品質保證
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認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司(例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL)運送訂單。 我們還支持其他運輸方式。 如果您想詢問具體的運輸細節或費用,請隨時與我們聯繫。
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
IRF641 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $1.771 | $1.77 |
200 | $0.685 | $137.00 |
500 | $0.662 | $331.00 |
1000 | $0.649 | $649.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The IRF641 is a N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high voltage applications. It has a maximum drain-source voltage rating of 250 volts and a continuous drain current of 9.7 amps. The IRF641 has a low on-resistance of 0.5 ohms, making it suitable for high power switching applications.The MOSFET is housed in a TO-220 package, which provides good thermal conductivity and ease of mounting. It has a gate threshold voltage of 2.0 to 4.0 volts, meaning it can be easily driven by most standard logic level signals.The IRF641 is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and DC-DC converters. Its high voltage and current ratings make it ideal for handling high power loads, while its low on-resistance helps to minimize power losses and improve efficiency.
主要特徵
- MOSFET transistor
- N-channel type
- Designed for high power applications
- Low on-state resistance
- Fast switching speed
- High drain current
- High power dissipation capability
- Suitable for high current circuits
- Compact in size
- Provides efficient power management
應用
- Switching applications in power supplies and DC-DC converters
- Motor speed control systems
- Inverters and welding machines
- Audio amplifiers and high current circuits
- Industrial automation systems
- Battery chargers and UPS systems
- Power factor correction circuits
- Solar energy systems and inverters
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | No | Rohs Code | No |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 580 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 150 V |
Drain Current-Max (ID) | 18 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.18 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-220AB |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level | NOT SPECIFIED | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 72 A |
Qualification Status ! | COMMERCIAL | Surface Mount ! | NO |
Terminal Finish | TIN LEAD | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。