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IRF631
50V N-channel MOSFET with 9A current rating
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
認證
我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
IRF631 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $0.816 | $0.82 |
| 200 | $0.317 | $63.40 |
| 500 | $0.306 | $153.00 |
| 1000 | $0.300 | $300.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The IRF631 is a N-channel power MOSFET transistor designed for high-performance and power efficiency applications. It has a maximum drain-source voltage of 200 volts and a continuous drain current of 9.4 amps. This MOSFET features a low on-state resistance of 1.8 ohms, which enables efficient power switching and minimal power dissipation. It also has a gate threshold voltage of 2 to 4 volts, allowing for easy and precise control of the switching operation.The IRF631 is housed in a TO-220 package, which provides excellent thermal performance and ease of mounting on a circuit board. It is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and LED lighting.The operating temperature range of the IRF631 is from -55 to 175 degrees Celsius, making it suitable for use in a variety of environmental conditions. Additionally, it has a low gate charge of 59 nanocoulombs, which ensures fast switching speeds and reduced power losses during operation.
主要特徵
- Power MOSFET
- Voltage rating of 200V
- Current rating of 9.7A
- Low on-state resistance
- Fast switching speed
- Logic level gate drive
- Enhanced high frequency performance
- Can be used in high power applications
應用
- Switching applications in power supplies
- Motor control
- LED lighting
- DC-DC converters
- Electronic ballasts
- Audio amplifiers
- Automotive applications
- Industrial control systems
- Power management circuits
- Battery charging circuits
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Pbfree Code | No | Rohs Code | No |
| Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 150 V | Drain Current-Max (ID) | 9 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.4 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e0 | Moisture Sensitivity Level | NOT SPECIFIED |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 36 A | Qualification Status ! | COMMERCIAL |
| Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
