HGTG40N60A4
High-Power Silicon IGBT Chip for Voltage Regulation
品質保證
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例子
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HGTG40N60A4 數據表
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詳細說明
With its unique combination of MOSFET and bipolar transistor features, the HGTG40N60A4 stands out as the ideal solution for high voltage switching applications that require low conduction losses. Its ability to operate at high frequencies further enhances its suitability for use in a wide range of industrial and commercial applications. Whether it's for UPS systems or welding equipment, this IGBT has been engineered for fast-switching performance, ensuring that critical operations run smoothly and efficiently
主要特徵
- High current and voltage handling capabilities
- Compact TO-247 package type
- Designed for high power applications only
應用
- Advanced Technology
- Compact Design
- Easy Integration
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 75 A |
Pd - Power Dissipation | 625 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Series | HGTG40N60A4 |
Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current | 75 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 75 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA |
Height | 20.82 mm | Length | 15.87 mm |
Product Type ! | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 450 |
Subcategory | IGBTs | Width | 4.82 mm |
Part # Aliases | HGTG40N60A4_NL | Unit Weight | 0.225401 oz |
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