HGTG20N60B3D

High Power 3 Pin Device
7,356 有效庫存

HGTG20N60B3D

有效庫存7,356

High Power 3 Pin Device

  • 製造商零件號 # : HGTG20N60B3D

  • 包裝/封裝: TO-247-3

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single IGBTs

品質保證

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

ship1 ship2 ship3 ship4 ship5 ship6

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。 我們還支持其他運輸方式。 如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

questionContent1 questionContent2 questionContent3 questionContent4 ctc pelican express chunghwa post

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

wire

電匯

questionContent7

Paypal

cc

信用卡

western

西聯匯款

mg

速匯金

服務與包裝

服務與包裝

About After Sales Service

All Parts Extended Quality Guarantee

自發貨之日起 90 天內發起申請。

與我們的工作人員確認退貨或換貨。

保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。 在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。 如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

pg

例子

捲帶式

捲帶式

剪膠帶

剪膠帶

管或託盤

管或託盤

HGTG20N60B3D 數據表
no-price

目前的價格方案正在編制中。請聯絡我們的客戶服務團隊獲取最新的價格資訊。感謝您的理解和支援!

快速報價

請提交詢價 HGTG20N60B3D 或發送電子郵件給我們： Email: [email protected], 我們將在 12 小時內與您聯繫。

詳細說明

The HGTG20N60B3D is a cutting-edge Generation III MOS gated high voltage switching device that brings together the most advantageous characteristics of MOSFETs and bipolar transistors. By combining the high input impedance of a MOSFET with the low on-state conduction loss of a bipolar transistor, these devices offer unparalleled performance and efficiency in high voltage switching applications

主要特徵

  • High-Speed Switching
  • Low Capacitance
  • Fast Turn-On Time
  • Low Saturation Current

應用

  • Electric vehicle solutions
  • Advanced power circuits
  • Charging stations options

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! IGBT Transistors RoHS Details
REACH Details Technology Si
Package / Case TO-247-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 40 A Pd - Power Dissipation 165 W
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Series HGTG20N60B3D Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current 40 A Continuous Collector Current Ic Max 40 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 100 nA Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type ! IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 450 Subcategory IGBTs
Width 4.82 mm Part # Aliases HGTG20N60B3D_NL
Unit Weight 0.225401 oz

推薦零件

  • HGTG30N60C3D

    HGTG30N60C3D

    63A TO247 IGBT HGTG30N60C3D

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-247-3

    9,560 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTG20N60B3

    HGTG20N60B3

    TO-247 N-Channel IGBT with 40A Collector Current and 600V Breakdown Voltage

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-247-3

    5,338 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTP7N60C3D

    HGTP7N60C3D $0.970

    High-power N-channel IGBT for rail applications ( characters

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-220-3

    6,519 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTP10N120BN

    HGTP10N120BN $4.941

    The HGTP10N120BN is a Through Hole TO-220-3 packaged IGBT NPT with a current rating of 35 A and a voltage rating of 1200 V

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-220-3

    5,273 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTG30N60B3D

    HGTG30N60B3D $2.070

    TO-247-packaged N-channel IGBT chip designed for a maximum voltage of 600V and a current rating of 60A

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-247-3

    8,085 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTG27N120BN

    HGTG27N120BN

    IGBT NPT 1200V 72A TO247-3

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-247-3

    8,508 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTG12N60A4D

    HGTG12N60A4D

    channel 600V 54A

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-247-3

    8,423 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTG10N120BND

    HGTG10N120BND

    TO-247 packaged N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), capable of handling currents up to 35A and voltages up to 1200V

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-247-3

    8,593 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTG20N60C3

    HGTG20N60C3

    Insulated Gate Bipolar Transistors like HGTG20N60C3 offer efficient switching and high voltage capabilities

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO247-3

    9,820 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTG18N120BND

    HGTG18N120BND $4.642

    High-speed IGBT Transistors with 54A and 1200V rating, N-Channel configuration, and Antiparallel Hyperfast Diode

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-247-3

    9,959 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGT1S10N120BNS

    HGT1S10N120BNS $1.283

    Tube Packaged N-channel IGBT Chip with 1200V Voltage Rating, 35A Current Capacity, and 298W Power Dissipation

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-263AB

    8,464 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGT1S7N60A4DS

    HGT1S7N60A4DS $0.978

    Ignition driver for 600V N-channel IGBTs

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-263-3,D²Pak(2Leads+Tab),TO-263AB

    8,060 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGTP12N60C3

    HGTP12N60C3

    3 LD PLASTIC W/EXPOSED HEATSNK

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO220-3

    5,582 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • HGT1N40N60A4D

    HGT1N40N60A4D

    IGBT SMPS N-Channel 600V SOT-227

    製造商: Onsemi 包裝/箱: SOT-227-4,miniBLOC

    7,354 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • FDP083N15A

    FDP083N15A

    PowerTrench N-Channel MOSFET rated for 150 volts, capable of handling 117 amps, with 8.3mΩ resistance

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-220-3

    5,674 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • RFD15P05

    RFD15P05

    TO-251AA P-Ch Power MOSFET

    製造商: Onsemi 包裝/箱: TO-251-3

    4,116 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1