HFA3127B

High-quality RF transistor for UHF applications
6,809 有效庫存

HFA3127B

有效庫存6,809

High-quality RF transistor for UHF applications

  • 製造商零件號 # : HFA3127B

  • 包裝/封裝: SOIC-16

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Bipolar RF Transistors

品質保證

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運輸與付款

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服務與包裝

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例子

捲帶式

捲帶式

剪膠帶

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管或託盤

管或託盤

HFA3127B 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $14.087 $14.09
200 $5.453 $1,090.60
500 $5.260 $2,630.00
1000 $5.166 $5,166.00

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詳細說明

The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications.Features• NPN Transistor (fT). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz• NPN Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130• NPN Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V• PNP Transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5GHz• PNP Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60• PNP Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V• Noise Figure (50Ω) at 1.0GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB• Collector-to-Collector Leakage. . . . . . . . . . . . . . . . . <1pA• Complete Isolation Between Transistors• Pin Compatible with Industry Standard 3XXX Series ArraysApplications• VHF/UHF Amplifiers• VHF/UHF Mixers• IF Converters• Synchronous Detectors

主要特徵

  • NPN Transistor (fT). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
  • NPN Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
  • NPN Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
  • PNP Transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5GHz
  • PNP Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
  • PNP Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
  • Noise Figure (50Ω) at 1.0GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB
  • Collector-to-Collector Leakage. . . . . . . . . . . . . . . . . <1pA
  • Complete Isolation Between Transistors
  • Pin Compatible with Industry Standard 3XXX Series
  • Arrays

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! Bipolar Transistors - BJT Transistor Polarity NPN
Configuration Quint Collector- Emitter Voltage VCEO Max 8 V
Collector- Base Voltage VCBO 12 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.5 V
Maximum DC Collector Current 65 mA Pd - Power Dissipation 150 mW
Gain Bandwidth Product fT 8 GHz Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 125 C Brand onsemi / Fairchild
DC Collector/Base Gain hfe Min 40 at 10 mA, 2 V Product Type ! BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory Transistors Technology Si

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 HFA3127B PDF 下載

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    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

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    最小訂購量為 1