GB75DA120UP

N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor with 131A I(C)
5,722 有效庫存

GB75DA120UP

有效庫存5,722

N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor with 131A I(C)

  • 製造商零件號 # : GB75DA120UP

  • 包裝/封裝: SOT-227-4

  • 零件狀態 : Transferred

  • 製造商: vishay

  • 產品分類 : IGBT Modules

  • RoHS:

品質保證

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

FEATURES• NPT Generation V IGBT technology• Square RBSOA• HEXFRED® low Qrr, low switching energy• Positive VCE(on) temperature coefficient• Fully isolated package• Speed 8 kHz to 60 kHz• Very low internal inductance ( 5 nH typical)• Industry standard outline

主要特徵

  • NPT Generation V IGBT technology
  • Square RBSOA
  • HEXFRED® low Qrr, low switching energy
  • Positive VCE(on) temperature coefficient
  • Fully isolated package
  • Speed 8 kHz to 60 kHz
  • Very low internal inductance (≤ 5 nH typical)
  • Industry standard outline
  • UL approved file E78996
  • Material categorization: For definitions of compliance
  • please see www.vishay.com/doc?99912

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! IGBT Transistors Technology Si
Package / Case SOT-227-4 Mounting Style SMD/SMT
Configuration Single Dual Emitter Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Brand Vishay Semiconductors
Continuous Collector Current Ic Max 131 A Height 12.3 mm
Length 38.3 mm Product Type ! IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Width 25.7 mm Part # Aliases VS-GB90DA120U
Unit Weight 1.340411 oz

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