FS35R12YT3

IGBT Modules N-CH 1.2KV 40A
9,442 有效庫存

FS35R12YT3

有效庫存9,442

IGBT Modules N-CH 1.2KV 40A

  • 製造商零件號 # : FS35R12YT3

  • 包裝/封裝: EASY2

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Infineon

  • 產品分類 : IGBT Modules

  • RoHS:

品質保證

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運輸與付款

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

主要特徵

  • ○ Multilayer chip EMC filter.
  • ○ Monolithic structure makes it highly reliable.
  • ○ Closed magnetic circuit structure makes it possible to achieve high-density mounting without crosstalk.
  • ○ Has sharp attenuation characteristics with excellent EMC suppression.
  • ○ Wide range of products compatible with passing frequencies and attenuating frequencies.
  • MEM2012S
  • T-type circuit is used.
  • MEM2012SC
  • ○ T-type circuit is used.
  • ○ Compatible with 1A current.
  • MEM2012V
  • ○ Double π type circuit is used.
  • ○ Sharp attenuation characteristics.
  • MEM2012F
  • ○ π type circuit is used.
  • MEM1608P
  • ○ π type circuit is used.
  • ○ Compact with a low profile design.

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer Infineon Product Category ! IGBT Modules
RoHS Details Product IGBT Silicon Modules
Configuration Hex Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV
Continuous Collector Current at 25 C 40 A Package / Case EASY2
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature ! + 125 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 55.9 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type ! IGBT Modules
Factory Pack Quantity 20 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 45.6 mm
Part # Aliases SP000100288 FS35R12YT3BOMA1

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