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FQT7N10L
Power Field-Effect Transistor
品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
FQT7N10L 數據表
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詳細說明
In summary, FQT7N10L from ON Semiconductor is a robust and efficient N-channel MOSFET tailored for power management applications. Its high voltage rating, combined with features such as low on-resistance and high switching speed, makes it well-suited for demanding power handling requirements. Engineers and designers can rely on this component to deliver reliable performance and contribute to the efficient operation of electronic systems requiring effective power management
主要特徵
- This device features high frequency performance with low input capacitance
- Its compact design ensures efficient heat dissipation and reduced thermal impedance
- The FQT7N10L has a maximum drain current of 6.2A for reliable operation
- This MOSFET is designed for high speed switching applications with low on-resistance
- The TO-252 package allows for efficient heat dissipation and compact design
- This device has a maximum VDS rating of 100V making it suitable for various industrial applications
應用
- Sleek and smart devices
- Practical home gadgets
- Efficient and reliable products
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 50 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 1.7 A |
| Drain Current-Max (ID) | 1.7 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.38 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 15 pF |
| JEDEC-95 Code | TO-261AA | JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
| Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 2 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 6.8 A |
| Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | Turn-off Time-Max (toff) | 155 ns |
| Turn-on Time-Max (ton) | 240 ns |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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