FQPF47P06
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -30 A, 26 mΩ, TO-220F, 1000-TUBEFQPF47P06
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -30 A, 26 mΩ, TO-220F, 1000-TUBE
品質保證
品質保證
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運輸與付款
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捲帶式
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FQPF47P06 數據表
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詳細說明
General DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are well suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.Features• -30A, -60V, RDS(on) = 0.026Ω @VGS = -10 V• Low gate charge ( typical 84 nC)• Low Crss ( typical 320 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability• 175°C maximum junction temperature rating
![FQPF47P06 FQPF47P06](/files/uploads/product/b/1049cabc-327a-4525-6bfd-08dbbf1058dd.webp)
主要特徵
- -30A, -60V, RDS(on) = 0.026Ω @VGS = -10 V
- Low gate charge ( typical 84 nC)
- Low Crss ( typical 320 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- 175°C maximum junction temperature rating
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 30 Weeks | Avalanche Energy Rating (Eas) | 820 mJ |
Case Connection | ISOLATED | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 30 A |
Drain Current-Max (ID) | 30 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.026 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 62 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 120 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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