FQPF2N70

Transistor,mosfet,n-Channel,700V V(Br)Dss,2A I(D),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF2N70
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FQPF2N70

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Transistor,mosfet,n-Channel,700V V(Br)Dss,2A I(D),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF2N70

  • 製造商零件號 # : FQPF2N70

  • 包裝/封裝: TO-220F

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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詳細說明

Fairchild Semiconductor's FQPF2N70 field-effect transistor shines in power management applications as a member of the N-channel MOSFET family. When a positive voltage is applied to its gate, this transistor efficiently conducts electricity. Capable of handling voltages up to 70 volts, the FQPF2N70 is engineered for high-demand tasks. Its maximum drain current specification ensures reliable performance without overheating concerns, typically supporting currents in the range of a few amperes. The on-resistance parameter, symbolized as RDS(on), is pivotal for reducing power dissipation and enhancing operational efficiency, making this transistor a dependable choice for various applications. Encased in a TO-220 package, the FQPF2N70 offers superior thermal conductivity for enhanced reliability, suitable for power supplies, voltage regulation circuits, and motor control applications where effective power management is critical

主要特徵

  • High-speed switching
  • Ultra-low gate charge ( Typ. 4nC)
  • Compact package, 8-pin DIP
  • High voltage operation, up to 500V
  • Silicon carbide construction for high reliability
  • Avalanche tested for 100% reliability

應用

  • High-speed switching
  • Power supply applications
  • DC-DC converters

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer Fairchild Semiconductor Product Category ! FETs - Single
Packaging ! Tube Part-Aliases Through Hole
Unit-Weight 1 Channel Mounting-Style 28 W
Package-Case + 150 C Technology - 55 C
Number-of-Channels 30 V Configuration 2 A
Transistor-Type 700 V Pd-Power-Dissipation 6.3 Ohms
Maximum Operating Temperature ! 30 ns RoHS Details
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 700 V Id - Continuous Drain Current 2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 6.3 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 11 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Pd - Power Dissipation 28 W
Channel Mode Enhancement Tradename QFET
Series FQPF2N70 Brand onsemi / Fairchild
Fall Time 70 ns Forward Transconductance - Min 2.45 S
Height 16.07 mm Length 10.36 mm
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 80 ns
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns Typical Turn-On Delay Time 30 ns
Width 4.9 mm Part # Aliases FQPF2N70_NL
Unit Weight 0.068784 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 FQPF2N70 PDF 下載

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