DTDG23YPT100
Product DTDG23YPT100
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製造商零件號 # : DTDG23YPT100
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包裝/封裝: SOT
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製造商: ROHM SEMICONDUCTOR
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產品分類 : Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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DTDG23YPT100 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
5 | $0.240 | $1.20 |
50 | $0.196 | $9.80 |
150 | $0.176 | $26.40 |
1000 | $0.152 | $152.00 |
2000 | $0.142 | $284.00 |
5000 | $0.135 | $675.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
DTDG23YPT100 is a Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN component with a maximum voltage rating of 60 V and a maximum current rating of 1 A. It operates at a frequency of 80 MHz and has a power dissipation of 1.5 W. This transistor is designed for surface mount applications and comes in the MPT3 package. Pre-Biased transistors are transistors that are pre-configured with a specific bias voltage, allowing for easier and more efficient integration into electronic circuits. The NPN configuration indicates that this transistor is made up of three semiconductor layers, with the majority charge carriers being electrons. This type of transistor is commonly used for amplification and switching purposes in electronic circuits. The 60 V voltage rating of DTDG23YPT100 indicates its ability to withstand voltage levels up to 60 volts without damage. The maximum current rating of 1 A specifies the maximum current that can flow through the transistor without exceeding its capabilities. The operating frequency of 80 MHz suggests that this transistor is suitable for high-frequency applications.
主要特徵
- Standard digital transistor
- Built-In Biasing Resistors
- Small Surface Mount Package
- Pb Free/RoHS Compliant
應用
- Industrial automation
- Robotics
- Medical devices
- Automotive electronics
- Consumer electronics
- Aerospace and defense
- Power electronics
- Telecommunications
- Instrumentation
- Sensors and control systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Pin Count ! | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 13 Weeks | Additional Feature ! | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54 |
Case Connection | COLLECTOR | Collector Current-Max (IC) | 1 A |
Collector-Emitter Voltage-Max | 70 V | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
DC Current Gain-Min (hFE) | 300 | JESD-30 Code | R-PSSO-F3 |
JESD-609 Code | e2 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1.5 W | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | TIN COPPER |
Terminal Form ! | FLAT | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 80 MHz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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