D2219UK
Semelab D2219UK Dual N-channel MOSFET Transistor, 2 A, 40 V, 8-Pin SOICD2219UK
Semelab D2219UK Dual N-channel MOSFET Transistor, 2 A, 40 V, 8-Pin SOIC
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製造商零件號 # : D2219UK
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包裝/封裝: SOIC-8
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零件狀態 : Obsolete
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製造商: Tt Electronics
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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服務與包裝
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捲帶式
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D2219UK 數據表
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詳細說明
With a power dissipation range of 1MHz to 2GHz, the D2219UK MOSFET is a versatile component for various RF applications. Its SOIC package with 8 pins allows for easy integration into circuit designs, while its high drain-source voltage of 40V ensures reliable performance under demanding conditions. The transistor type RF FET offers excellent power handling capabilities, making it ideal for use in high-frequency communication systems and RF amplifiers where efficiency and reliability are crucial
![](/files/uploads/product/b/4ce83c603faf4ed5bf7cd857dbbe66d1.webp)
主要特徵
- Simple bias circuits
- Low noise
- High gain
- Low reverse transfer capacitance
應用
- Industrial
- Communications & Networking
- Power Management
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | TT Electronics | Product Category ! | RF MOSFET Transistors |
Transistor Polarity | N-Channel | Technology | Si |
Id - Continuous Drain Current | 2 A | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Operating Frequency ! | 1 GHz | Gain | 10 dB |
Output Power ! | 2.5 W | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
Brand | Semelab / TT Electronics | Configuration | Single |
Height | 2.18 mm | Length | 5.08 mm |
Pd - Power Dissipation | 17.5 W | Product Type ! | RF MOSFET Transistors |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | DMOS FET |
Type | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V to 5 V | Width | 4.06 mm |
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