CSD18540Q5B
Power Field-Effect Transistor with 28A of current and 60V voltage thresholdCSD18540Q5B
Power Field-Effect Transistor with 28A of current and 60V voltage threshold
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製造商零件號 # : CSD18540Q5B
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包裝/封裝: VSON8
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製造商: texas instruments
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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捲帶式
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剪膠帶
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管或託盤
CSD18540Q5B 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $2.002 | $2.00 |
10 | $1.736 | $17.36 |
30 | $1.571 | $47.13 |
100 | $1.241 | $124.10 |
500 | $1.163 | $581.50 |
1000 | $1.129 | $1,129.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
With a strikingly low on-resistance of 3.4 mΩ at 4.5 V and 4.2 mΩ at 10 V, the CSD18540Q5B ensures minimal conduction losses, making it a prime choice for high-performance power conversion systems. Its minimal gate charge and rapid switching capabilities pave the way for seamless operations and reduced switching losses, thus maximizing system efficiency
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | VSON-CLIP-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 100 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.2 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V | Qg - Gate Charge | 41 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 188 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | NexFET | Series | CSD18540Q5B |
Brand | Texas Instruments | Configuration | Single |
Development Kit | BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM | Fall Time | 3 ns |
Height | 1 mm | Length | 6 mm |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 9 ns |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Width | 5 mm |
Unit Weight | 0.004254 oz |
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