CSD17570Q5B
The CSD17570Q5B MOSFET is an N-channel device designed for high efficiency applicationsCSD17570Q5B
The CSD17570Q5B MOSFET is an N-channel device designed for high efficiency applications
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製造商零件號 # : CSD17570Q5B
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包裝/封裝: VSON8
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製造商: texas instruments
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
CSD17570Q5B 數據表
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詳細說明
N-Channel 30 V 100A (Ta) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | VSON-CLIP-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 100 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 740 uOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V | Qg - Gate Charge | 93 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 3.2 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | NexFET | Series | CSD17570Q5B |
Brand | Texas Instruments | Configuration | Single |
Height | 1 mm | Length | 6 mm |
Product Type ! | MOSFET | Factory Pack Quantity | 2500 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Width | 5 mm | Unit Weight | 0.005146 oz |
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